国产半导体参数测试仪iv|cv一键测特点
30μV-1200V，1pA-100A 宽量程测试能力
测量精度高，全量程下可达0.03%
内置标准器件测试程序，直接调用测试简便
自动实时参数提取、 数据绘图、分析函数
在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线
供灵活的夹具定制方案，兼容性强
免费提供上位机软件及SCPI指令集
应用场景及测试参数
1纳米材料：电阻率、载流子迁移率、载流子浓度、霍尔电压
2柔性材料：拉伸/扭转/弯折、V-t、I-t、R-t、电阻率、灵敏度
3IC芯片：O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O Pin IV曲线
4分立器件：BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、输出/转移/CV曲线等
5光电探测器：暗电流ID、结电容Ct、反向击穿电压VBR、响应度R
6钙钛矿电池：VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh
7LD/LED/OLED：Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲线
8传感器/忆阻器：V-t、I-t、R-t、直流/脉冲/交流IV测试
特色优势
1模块化配置：可灵活配置多种测量单元，预留升级空间，方便后期升级
2图形化界面：内置常用器件模板，可直接调用，并且支持输出三种模式测试报告
3自动化测试：内嵌低漏电矩阵开关，可自动切换测试电路，实现一键测试功能
4夹具可定制：支持二极管、三极管、Si及SiC MOS管、IGBT等器件
5多设备联动：可与探针台、温控模块等搭配使用，温控范围：室温~250℃
联系我们：
武汉普赛斯仪表有限公司 陶女士
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